Bonjour,
Je crée un nouveau sujet parce que j'ai cherché pas mal de temps sur ce forum ( je ne le croyais pas si gigantesque ), et je n'est pas trouvé de réponse à mon problème.
 
Je viens d'acheter une barrette Ram 512Mo, que j'ai remplacé avec une de mes deux anciennes barrettes 256Mo, afin d'obtenir 768 Mo de Ram.
Or, maintenant que je l'ai mise, les applications de mon pc vont moins vite qu'avant ( certaines en tout cas ). Je me suis donc renseigné un peu partout et j'ai vu qu'il existait dans configuration optimal pour la ram. J'ai vu qu'il existait des barametre changeable commes ceci: "3,3,4,5,6,7"  ( dont je ne connait toujours pas l'utilité de ces chiffres ), j'ai vu que l'on pouvais modifier des éléments dans le BIOS ( mais je sais pas où dans le bios ni quoi ), j'ai vu qu'il existait des fréquences ( dont je sais toujours à quoi ça corespond )...
 
Je désespère de comprendre ce charabia un jour et c'est pourquoi je vous demande de l'aide....
 
Merci.

Détailles nous ta config, la marque de ta ram...

J'ai dell inspiron 6000
Processeur intel(R) Pentium(R) M  1,60GHz
Donc j'ai maintenant 760Mo de Ram ( normalement )
 
Et ma nouvelle barrette est une crucial SoDiMM DDR2 4200, et l'autre de 256 Mo c'est une samsung SoDiMM DDR2 3200 je crois.

il faut plus d'indications ou vous pouvez pas me répondre ?

Si c'est un portable, le BIOS est véreouillé tu ne peut donc modifier ni les timings ni la fréquence. par contre, tu peux tester avec jsute ta nouvelle barrette. Essaie aussi de faire un test de bande passante mémoire genre everest avec:
- les 2*256
- la 512 seule
-1*256 + 1*512
Et postes les résultats

L'idéal ne serait pas 2 barettes identiques pour le dual channel ?

dual Quoi ?
 
Euh sinon est ce que c'est possible que la carte mère de mon pc ou mon processeur soient déjà dépassés et ne puissent accépter autant de mémoire Ram ? ( enfin ça m'etonnerait, mon pc date de l'été dernier ).

les 2 Barrettes 256
 
Mémoire  
--------------------------------------------------------------------------------      
  Mémoire physique:  
   Total   503 Mo  
   Utilisé   326 Mo  
   Disponible   176 Mo  
   Utilisation   65 %  
   
  Zone de swap:  
   Total   2371 Mo  
   Utilisé   300 Mo  
   Disponible   2071 Mo  
   Utilisation   13 %  
   
  Mémoire virtuelle:  
   Total   2875 Mo  
   Utilisé   627 Mo  
   Disponible   2247 Mo  
   Utilisation   22 %  
   
  Physical Address Extension (PAE):  
   Supporté par le système d'exploitation   Oui  
   Supporté par le processeur   Oui  
   Active   Oui  
 
 
SPD  
--------------------------------------------------------------------------------      
 [ DIMM1: Samsung M4 70T3354CZ3-CCC ]  
   
  Propriétés du module mémoire:  
   Nom du module   Samsung M4 70T3354CZ3-CCC  
   Numéro de série   510771D8h  
   Date de fabrication   Semaine 40 / 2005  
   Taille du module   256 Mo (1 rank, 4 banks)  
   Type du module   Unbuffered  
   Type de mémoire   DDR2 SDRAM  
   Vitesse de mémoire   DDR2-400 (200 MHz)  
   Largeur du module   64 bit  
   Voltage du module   SSTL 1.8  
   Méthode de détection d'erreurs   Aucun(e)  
   Taux de rafraîchissement   Réduit (7.8 us), Self-Refresh  
   
  Performances mémoire:  
   @ 200 MHz   5.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)  
   @ 200 MHz   4.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)  
   @ 200 MHz   3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)  
   
  Fonctionnalités du module mémoire:  
   Early RAS# Precharge   Géré  
   Auto-Precharge   Géré  
   Precharge All   Géré  
   Write1/Read Burst   Non géré  
   Buffered Address/Control Inputs   Non géré  
   Registered Address/Control Inputs   Non géré  
   On-Card PLL (Clock)   Non géré  
   Buffered DQMB Inputs   Non géré  
   Registered DQMB Inputs   Non géré  
   Differential Clock Input   Non géré  
   Redundant Row Address   Non géré  
   
  Fabricant du module mémoire:  
   Nom de l'entreprise   Samsung  
   Information sur le produit   http://www.samsung.com/Products/Se [...] /index.htm  
   
 [ DIMM3: Samsung M4 70T3354CZ3-CCC ]  
   
  Propriétés du module mémoire:  
   Nom du module   Samsung M4 70T3354CZ3-CCC  
   Numéro de série   510471D5h  
   Date de fabrication   Semaine 40 / 2005  
   Taille du module   256 Mo (1 rank, 4 banks)  
   Type du module   Unbuffered  
   Type de mémoire   DDR2 SDRAM  
   Vitesse de mémoire   DDR2-400 (200 MHz)  
   Largeur du module   64 bit  
   Voltage du module   SSTL 1.8  
   Méthode de détection d'erreurs   Aucun(e)  
   Taux de rafraîchissement   Réduit (7.8 us), Self-Refresh  
   
  Performances mémoire:  
   @ 200 MHz   5.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)  
   @ 200 MHz   4.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)  
   @ 200 MHz   3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)  
   
  Fonctionnalités du module mémoire:  
   Early RAS# Precharge   Géré  
   Auto-Precharge   Géré  
   Precharge All   Géré  
   Write1/Read Burst   Non géré  
   Buffered Address/Control Inputs   Non géré  
   Registered Address/Control Inputs   Non géré  
   On-Card PLL (Clock)   Non géré  
   Buffered DQMB Inputs   Non géré  
   Registered DQMB Inputs   Non géré  
   Differential Clock Input   Non géré  
   Redundant Row Address   Non géré  
   
  Fabricant du module mémoire:  
   Nom de l'entreprise   Samsung  
   Information sur le produit   http://www.samsung.com/Products/Se [...] /index.htm  
 
 
Barrette 512 et 256
 
Mémoire  
--------------------------------------------------------------------------------      
  Mémoire physique:  
   Total   759 Mo  
   Utilisé   340 Mo  
   Disponible   418 Mo  
   Utilisation   45 %  
   
  Zone de swap:  
   Total   2991 Mo  
   Utilisé   393 Mo  
   Disponible   2598 Mo  
   Utilisation   13 %  
   
  Mémoire virtuelle:  
   Total   3751 Mo  
   Utilisé   733 Mo  
   Disponible   3017 Mo  
   Utilisation   20 %  
   
  Physical Address Extension (PAE):  
   Supporté par le système d'exploitation   Oui  
   Supporté par le processeur   Oui  
   Active   Oui  
 
 
SPD  
--------------------------------------------------------------------------------      
 [ DIMM1: Micron Tech. 8HTF6464HDY-53EB3 ]  
   
  Propriétés du module mémoire:  
   Nom du module   Micron Tech. 8HTF6464HDY-53EB3  
   Numéro de série   120BDEA7h  
   Date de fabrication   Semaine 22 / 2006  
   Taille du module   512 Mo (2 ranks, 4 banks)  
   Type du module   Unbuffered  
   Type de mémoire   DDR2 SDRAM  
   Vitesse de mémoire   DDR2-533 (266 MHz)  
   Largeur du module   64 bit  
   Voltage du module   SSTL 1.8  
   Méthode de détection d'erreurs   Aucun(e)  
   Taux de rafraîchissement   Réduit (7.8 us), Self-Refresh  
   
  Performances mémoire:  
   @ 266 MHz   4.0-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS)  
   @ 200 MHz   3.0-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS)  
   
  Fonctionnalités du module mémoire:  
   Early RAS# Precharge   Géré  
   Auto-Precharge   Non géré  
   Precharge All   Non géré  
   Write1/Read Burst   Non géré  
   Buffered Address/Control Inputs   Non géré  
   Registered Address/Control Inputs   Non géré  
   On-Card PLL (Clock)   Non géré  
   Buffered DQMB Inputs   Non géré  
   Registered DQMB Inputs   Non géré  
   Differential Clock Input   Non géré  
   Redundant Row Address   Non géré  
   
  Fabricant du module mémoire:  
   Nom de l'entreprise   Micron Technology, Inc.  
   Information sur le produit   http://www.micron.com/products/category.jsp?path=/DRAM  
   
 [ DIMM3: Samsung M4 70T3354CZ3-CCC ]  
   
  Propriétés du module mémoire:  
   Nom du module   Samsung M4 70T3354CZ3-CCC  
   Numéro de série   510471D5h  
   Date de fabrication   Semaine 40 / 2005  
   Taille du module   256 Mo (1 rank, 4 banks)  
   Type du module   Unbuffered  
   Type de mémoire   DDR2 SDRAM  
   Vitesse de mémoire   DDR2-400 (200 MHz)  
   Largeur du module   64 bit  
   Voltage du module   SSTL 1.8  
   Méthode de détection d'erreurs   Aucun(e)  
   Taux de rafraîchissement   Réduit (7.8 us), Self-Refresh  
   
  Performances mémoire:  
   @ 200 MHz   5.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)  
   @ 200 MHz   4.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)  
   @ 200 MHz   3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)  
   
  Fonctionnalités du module mémoire:  
   Early RAS# Precharge   Géré  
   Auto-Precharge   Géré  
   Precharge All   Géré  
   Write1/Read Burst   Non géré  
   Buffered Address/Control Inputs   Non géré  
   Registered Address/Control Inputs   Non géré  
   On-Card PLL (Clock)   Non géré  
   Buffered DQMB Inputs   Non géré  
   Registered DQMB Inputs   Non géré  
   Differential Clock Input   Non géré  
   Redundant Row Address   Non géré  
   
  Fabricant du module mémoire:  
   Nom de l'entreprise   Samsung  
   Information sur le produit   http://www.samsung.com/Products/Se [...] /index.htm  
 
Barrette 512 seule
 
Mémoire  
 
--------------------------------------------------------------------------------
 
       
  Mémoire physique:  
   Total   503 Mo  
   Utilisé   337 Mo  
   Disponible   166 Mo  
   Utilisation   67 %  
   
  Zone de swap:  
   Total   2371 Mo  
   Utilisé   309 Mo  
   Disponible   2061 Mo  
   Utilisation   13 %  
   
  Mémoire virtuelle:  
   Total   2875 Mo  
   Utilisé   646 Mo  
   Disponible   2228 Mo  
   Utilisation   22 %  
   
  Physical Address Extension (PAE):  
   Supporté par le système d'exploitation   Oui  
   Supporté par le processeur   Oui  
   Active   Oui  
 
 
SPD  
 
--------------------------------------------------------------------------------
 
       
 [ DIMM1: Micron Tech. 8HTF6464HDY-53EB3 ]  
   
  Propriétés du module mémoire:  
   Nom du module   Micron Tech. 8HTF6464HDY-53EB3  
   Numéro de série   120BDEA7h  
   Date de fabrication   Semaine 22 / 2006  
   Taille du module   512 Mo (2 ranks, 4 banks)  
   Type du module   Unbuffered  
   Type de mémoire   DDR2 SDRAM  
   Vitesse de mémoire   DDR2-533 (266 MHz)  
   Largeur du module   64 bit  
   Voltage du module   SSTL 1.8  
   Méthode de détection d'erreurs   Aucun(e)  
   Taux de rafraîchissement   Réduit (7.8 us), Self-Refresh  
   
  Performances mémoire:  
   @ 266 MHz   4.0-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS)  
   @ 200 MHz   3.0-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS)  
   
  Fonctionnalités du module mémoire:  
   Early RAS# Precharge   Géré  
   Auto-Precharge   Non géré  
   Precharge All   Non géré  
   Write1/Read Burst   Non géré  
   Buffered Address/Control Inputs   Non géré  
   Registered Address/Control Inputs   Non géré  
   On-Card PLL (Clock)   Non géré  
   Buffered DQMB Inputs   Non géré  
   Registered DQMB Inputs   Non géré  
   Differential Clock Input   Non géré  
   Redundant Row Address   Non géré  
   
  Fabricant du module mémoire:  
   Nom de l'entreprise   Micron Technology, Inc.  
   Information sur le produit   http://www.micron.com/products/category.jsp?path=/DRAM  
 
Voila, à mon avis y a beaucoup trop d'infos là, mais comme ça y dois y avoir l'escentiel.
A noté que j'ai tenté une partie de Pro Evolution Soccer 5 à chacune de ces etapes et seule la configuration avec les 2 barrettes 256 marche correctement. ( je pense que c'est logique )
 
 

Oui enfin désolé je parlais des benchs de bande passante mémoire d'everest : il uy a 3 tests: écriture, lecture et latence. La les infos que tu donnes parraissent ok

Heureusement que je les avais demandé aussi sur mes rapports.
Mais les voici directement, c'est plus simple.
 
le rapport 1 correspond à la barrette 512 + une 256 http://arbeval.nuxit.net/SpeedWay/images/Report1.htm
le 2 à la barrette 512 seule http://arbeval.nuxit.net/SpeedWay/images/Report2.htm
et le 3 au deux barrettes 256 http://arbeval.nuxit.net/SpeedWay/images/Report3.htm

Il n'y a rien d'anormal au niveau de la mémoire. Les bench sont tous à peu près identique. Quand tu dis que ca va moins vite qu'avant, que veux tu dire? Les chargements sont llus long? et si tu remets tes 2*256 les applis regagnent leur vitesse initiale? C'est bizarre en tt caas ton problème... En tt cas a n'a pas l'air de venir de la ram, peut etre un HDD trop fragmenté...

Et bien je ne constate pas de rééls changements au niveau de la vitesse d'exécution des programmes mais j'ai un genre de test qui est le jeu PES5.
Quand je joue avec mes  2 barrettes 256 ça marche inpeccable, mais quand je met la 512, seule ou avec une autre, le jeu rame.
 
Quand j'essai la 512, ça rame et quand je remet les 256 apres, ça rma plus, c'est plutot bizarre.
J'ai essayé de changer la répartition de la ram mais ça n'y fait rien.
 
et c'est quoi ça le HDD ?

HDD = Disque dur mais si le problème disparait dès que tu reviens à 2*256 ce n'est pas ça. Les BP mémoire sont normales, RAS de ce coté là. Quand tu dis que le jeu "ram", tu veux dire qu'il saccade? SI c'est le cas, as-tu un chipset graphique intégré? Si c'est le cas, je pense que ta perte de fps est liée à la perte du fonctionnement en dual chanel, tu passes donc d'un bus mémoire 128bits (2*64) à un bus de 64bits. Ca se ressent très peu en utilisation classique, mais dans le cadre d'un chipset vidéo, très gourmand et exigeant au niveau de la mémoire, ca se ressent énormément. Il te faut donc 2 barrettes de meme capcité pour le réactiver.

il faut que j'achète une nouvelle barrette....c'est pas bete, là j'aurai des chances de voir la différence !
ouais, si c'est vraiment ça le problème, je crois que c'est ce que je vais faire, ça sera mon auto-cadeau si j'ai le bac  
Merci breaucoup ludo
 
EDIT: Mais j'y pense, si c'est un problème  de coordination entre 2 différentes barrettes, quand je ne met que la 512 il ne devrai pas y avoir de probleme !?!

Non le problème c'est justement que le dual chanel ne fonctionne qu'avec DEUX barrettes de MEME capacité. Grosso modo, le dual chanel étend la largeur du bus mémoire de 64 à 128bits. Le gain est + ou - important selon les plateformes et les applis, mais dans le cadre d'une utilisation par un chip graphique, la largeur du bus émmoire est primordiale (ex des R9600SE comparée au 9600 "tt court", la seconde dominant alrgement la première et tt ça juste à cause d'une mémoire 128bits au lieu de 64 pour l'autre..)

OK, j'aurai pas tout suivi dans ces explications mais je crois que j'ai l'escentiel.
Donc je vais acheter une autre barrette, merci beaucoup ludo021288 de t'etre interessé à mon probleme.

Bonjours,
je reviens parce que je pense avoir un nouveau probleme lié a mes aquisitions de barrettes ram.
Mes 1024 Mo marchent bien pour toutes les applications qui sont donc plus rapide mais le probleme concerne les jeux.
Mes jeux saccadent au bout de quelques minutes alors qu'ils en le faisaient pas avant.
Peut etre un probleme de charset graphique comme le disait ludo ? ( je ne sais pas personnellement ce que c'est, mais vous devez savoir )