Je suis perdu dans les timings de DDR (CAS, RAS, etc.) - Carte mère - Hardware
Marsh Posté le 07-06-2002 à 10:23:43
bah le plus bas reste le mieux
mais c aussi le plus agressif
donc 1.2-5-2-2
maintenant il vaut mieux baisser certain que d autres, et certain rendront plus instable que d autre ..
le plus important si je me souviens bien est le Cas latency time
et le moins important l active to precharge delay
les 2 autres sont au milieu mais je sais plus dans quel ordre
J espere t avoir aider
Marsh Posté le 07-06-2002 à 14:39:16
petoulachi a écrit a écrit : ça m'interresse moi aussi |
moi aussi
Marsh Posté le 07-06-2002 à 15:15:15
allez les pro de l'optimisation de la DDr on a besoin de vos conseils
Marsh Posté le 07-06-2002 à 15:55:33
Extrait du guide Bios que j'ai rédigé pour la K7S5A... Mais le principe reste applicable...
Cela ne répond pas entièrement à la question mais si cela peut aider
· DRAM Timing Configuration : valeurs possibles -> Safe / Normal / Fast / Ultra. Cette option détermine la façon dont est accédée la RAM. Soit rapidement ou moins rapidement. Le mode Safe est à utiliser si votre système est instable avec d?autres paramètres. De façon générale, choisissez Normal ou Fast. Ultra peut fonctionner mais peut causer une certaine instabilité de votre système engendrant des figeages ou des reboot. Tout cela dépendra de la qualité de votre RAM.
· SDR/DDR CAS Latency : valeurs possibles -> 2T/2,5T/3T/SPD (valeurs exprimées en cycle d?horloge : clock cycles). Cette fonction determine l?opération CAS (Column Address Strobe) de la RAM. Il s?agit du délai qui s?écoule avant que la RAM ne commence à effectuer une opération de lecture après en avoir reçu l?instruction. Les timings les plus bas (2T) diminuent ce délai. Testez ces paramètres et vérifier si votre système reste stable car encore une fois, la qualité de votre RAM influencera les valeurs que vous pouvez saisir. Veillez aussi à avoir l?un des derniers Bios (le Bios de janvier par exemple) qui règle des problèmes d?instabilité avec des timings trop bas.
Remarque :
SPD signifie "serials presence detect". La RAM SPD utilise une petite puce sur la mémoire pour stocker de l'information à propos de la taille, la vitesse, le voltage, etc... Si la carte mère reconnaît les RAM avec SPD, le Bios à chaque boot va vérifier les données de la RAM et configurer les paramètres pour des performances optimales et stables. Donc mettre SPD, c'est laissez votre RAM en pilotage automatique en terme de performances. Ne pas mettre SPD, c'est s'exposer à de l'instabilité. Personnellement, j'ai mis 2,5T et ca marche très bien.
Remarque pour l?overclocking : mettre des timings plus haut permettra à votre RAM de tourner à des fréquences plus élevées et donc d?overclocker à des fréquences plus élevées.
· SDR/DDR RAS Active Time : valeurs possibles -> 6T ou 7T. Cette fonction permet de paraméter l?opération RAS (Row Address Strobe). Le RAS active time détermine le temps qu?un RAS peut être maintenu ouvert pour des accès multiples. J?ai lu deux avis sur les valeurs à assigner à cette fonction. Certains pensent que des valeurs élevées amélioreront les performances. Donc ici, 7T donnera plus de performance que 6T. D?autres disent qu?en fait cette valeur représente le temps nécéssaire au RAS pour se rafraîchir. Donc dans ce cas là, une valeur moins élevée sera meilleure. Cette dernière option est celle que j?ai trouvée sur Tom?s Hardware. Personnellement je pencherais pour cette dernière option. Une vérification avec des benchs s?impose. ? ? ? Confusion avec ci-dessous ?
· SDR/DDR RAS Precharge Time : valeurs possibles -> 3T ou 4T. Cette option définit le nombre de cycles requis nécessaire au RAS pour accumuler sa charge avant que la RAM ne se rafraîchisse. Donc le timing le plus bas (3T) sera synonyme de meilleure performance mais si votre RAM n?est pas de qualité, elle pourrait mal se rafraîchir et pourrait ne pas arriver à stocker les données et donc devenir instable.
Marsh Posté le 07-06-2002 à 16:18:19
njxt a écrit a écrit : Merci ! |
j'allais oublier de la dire alors que je suis le premier a raller...
Marsh Posté le 07-06-2002 à 16:20:32
Ces valeurs representent des temps de latence exprimés en cycles d'horloge. Donc plus la valeur est basse, mieux c'est.
Marsh Posté le 07-06-2002 à 16:24:38
Marc a écrit a écrit : Ces valeurs representent des temps de latence exprimés en cycles d'horloge. Donc plus la valeur est basse, mieux c'est. |
merci Marc, mais ça on le sait bien
la question est plutôt : quel est le facteur le plus important ?
est-ce qu'on y gagne plus en passant le CAS de 2.5 à 2, ou un autre de 3 a 2 ?
Marsh Posté le 07-06-2002 à 16:42:49
Le Active to Precharge Delay est le reglage qui a le moins d'impact sur les perfs. Les autres ont des inpacts relativement proches.
Marsh Posté le 07-06-2002 à 16:50:53
Marc a écrit a écrit : Le Active to Precharge Delay est le reglage qui a le moins d'impact sur les perfs. Les autres ont des inpacts relativement proches. |
merci
je testerai ca ce soir
au fait, si une ram est données pour un CAS 2.5 à 166 MHz, ca veut juste dire qu'on peut la mettre en CAS 2.5 @166 ?
ca veut rien dire sur les autres timings ?
Marsh Posté le 07-06-2002 à 17:00:29
Une CAS 2.5 @ 166 generalement ca veut dire 2.5/3/3/6 (pour le 1T ou 2T command rate no idea)
Marsh Posté le 07-06-2002 à 17:39:57
Marc a écrit a écrit : Une CAS 2.5 @ 166 generalement ca veut dire 2.5/3/3/6 (pour le 1T ou 2T command rate no idea) |
ok, je v donc jouer avec ma Samsung uniquement sur le CAS latency, en laissant le reste a 3/3/6 ou 3/3/5
et depuis quand on a plus le CAS 3 de proposé ?
parce que l'epox me propose que 1.5/2/2.5 !!!!
du coup si ca se trouve c ca qui va m'empecher de desynchroniser ma ram a 200
Marsh Posté le 08-06-2002 à 11:43:37
j avais pas donne les reponses au dessus deja ?
Marsh Posté le 08-06-2002 à 16:04:47
sur Hardware.fr () y a un comparatif de mémoires DDR et surtout tous les réglages des temps de latence sont super bien expliqués. A lire absolument !!!!
Marsh Posté le 07-06-2002 à 10:04:48
Salut à tous
j'ai 2 barrettes de DDR Samsung 2700 double face (je sais pas si elle est moins bien que la simple face d'ailleurs ... à voir)
sur une EPoX 4G4A+, avec un P4 1.6A@2.4.
Il y a 4 timings a régler dans le bios pour la RAM :
CAS Latency Time : 1.5 / 2 / 2.5
Active to Precharge Delay : 5 / 6 / 7
DRAM RAS# to CAS Delay : 2 / 3
DRAM Precharge : 2 / 3
Je sais bien que plus on met des chiffres bas, plus les accès à la RAM sont rapides, donc mieux c'est
Ce que je ne sais pas, c'est quelle est l'influence de chaque paramètre : est-ce qu'il vaut mieux avoir 2-5-3-3 ou 2-7-2-2 ?
Ce qu'on appelle usuellement le CAS, est-ce que c'est le CAS Latency Time ou une combinaison de plusieurs de ces paramètres ?
car on parle souvent de CAS2, 2.5 et 3, et là je vois 1.5, 2 et 2.5 !
Merci d'avance